適用于碳化硅單晶微管。

GB/T 30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測定 化學(xué)腐蝕法
GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語

目前影響碳化硅應(yīng)用的主要因素是其高密度缺陷。碳化硅塊狀晶體中最常見缺陷被稱為微管。微管是空心的超級螺型位錯，其Burgers矢量沿著C軸。對微管的產(chǎn)生已經(jīng)提出或者確定了許多原因。這些原因包括Si或者C夾雜物，邊界缺陷，及多型夾雜等。
碳化硅單晶片微管化學(xué)腐蝕試驗可利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測定碳化硅單晶微管密度。
健明迪檢測可靠性實驗中心具備各種碳化硅單晶片微管的可靠性能試驗?zāi)芰Γ瑸樘蓟鑶尉⒐芴峁I(yè)的化學(xué)腐蝕試驗等服務(wù)。

采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示微管缺陷，用光學(xué)顯微鏡或其他儀器（如掃描電子顯微鏡）觀察碳化硅單晶表面的微管，計算單位面積上微管的個數(shù)，即得到微管密度。
1）將腐蝕好的試樣置于光學(xué)顯微鏡載物臺上，根據(jù)微管孔洞大小選取不同放大倍率。
2）觀察整個碳化硅單晶片表面，確認(rèn)微管形貌，記錄觀察視場內(nèi)微管個數(shù)。記數(shù)視場的選擇有兩種，根據(jù)需要可選取：
a）依次觀察記錄整個碳化硅單晶片每個觀察視場內(nèi)的微管個數(shù)；
b）選取觀察視場面積及測量點，觀察視場面積S不小于1 mm2。記錄每個視場的微管個數(shù)。
注：a）、b）兩種測試方法中推薦優(yōu)選方法a）測試整個碳化硅單晶片的微管缺陷。
3）計算平均微管密度。